Infineon MOSFET, IRF135B203, N-Canal-Canal, 129 A, 135 V, 3-Pin, TO-220AB HEXFET

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 129 A, 135 V, 3-Pin, TO-220AB HEXFET, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 8,4 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 441 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Tensión de diodo directa: 1.3V, Altura: 16.51mm, MPN: IRF135B203